(1) 将噪声电流旁路到地

某些由电容器构成的降噪滤波器使用旁路电容器。如图1所示，旁路电容通过将噪声电流旁路到地来消除噪声。

图1 旁路电容器运行

(2) 阻抗越小，噪声降低越大

旁路电容器的阻抗越小，电流越容易流动 (图1中的 (1) ) 。这意味着将消除更多的噪声。换言之，插损增加。

例如，如果比较第6-4节中引入的1,000pF电容器的插损和阻抗，则图形的形状将大致相同，如图2所示。这是因为在阻抗为25Ω或更低的频率处出现3dB的插损，而在高于该范围的频率中阻抗越低，插损将越大。

图2 电容器阻抗与插损之间的关系

(3) 电容器的降噪效果以其阻抗表示

因此，在衰减范围内，电容器的降噪效果可以用阻抗表示。为使解释简单化，本讨论将仅考虑阻抗。

您可能会注意到电容器的阻抗与频率和静电电容成反比。正因为如此，在绘制图形时，阻抗形成简单的向下倾斜线，如图2 (a) 的理论值所示。这些理论值将在之后的图表中被称为“理想电容”，并且将用于比较目的。

(4) 实际电容器阻抗测量的示例

图3显示从几个电容器测量的实际阻抗的示例。图中显示一个薄膜电容器，一些MLCC和一个电解电容器。

MLCC和薄膜电容器看起来相似，因为它们都形成大致的V形曲线。电解电容器在底部形成圆的U形曲线。这表明图2中1,000pF电容器所示趋势是所有电容器共有的。下面说明形成这种形状的原因。

不过注意，此处使用的测量值仅是一些示例用以证明趋势，并且该值可能因产品而异。

图3 电容器频率特性的示例

(5) 静电电容越大，阻抗越小

下面描述给定类型的电容器静电电容发生变化的情况。

图4显示当MLCC (1608尺寸SMD) 的静电电容以每个步幅10的系数 (标称值) 从1000pF变化到1μF时发生的情况。为了进行比较，用虚线表示理想电容器的阻抗。

如图所示，电容器的阻抗形成左侧部分非常接近理想电容器的V形曲线，并且各静电电容的线按顺序整齐排列。在这些频率下，电容器可以看作是简单的静电电容元件。

图4 各容量时MLCC (1608尺寸) 阻抗的示例