3-4-6 在噪声路径上采取噪声措施

尽管使用去耦电容器降低了源阻抗从而抑制了电压波动,但在减少噪声方面可能无法看到充分的实效。图3-4-14给出了一个模拟之前测试中相关情形的示例。

图3-4-14中指示了电容器(a)和(b)的位置((a)与图3-4-7中采用MLCC的一样)。两个IC都在距电源终端6mm的位置处布置了去耦电容器,因此可以认为环路阻抗是相同的。电源电压波动也在同样的范围内。但是,(b)发射的噪声比(a)高10dB。

产生这种差别的原因在于(a)在能够传导噪声的路径上使用电容器,而(b)在(IC和会发射噪声的天线之间的)噪声路径之外使用电容器。因此,需要沿着噪声路径连接滤波器,以便消除噪声。

Difference in noise suppression effect depending on where to attach a capacitor

图3-4-14 在不同位置连接电容器产生的噪声抑制效果的差别


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